한림투데이

나노융합스쿨 학부생들 올해 Scopus 등재학술지에 논문 4 편 발표

등록일 : 2019-09-05

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나노융합스쿨 학부생들 올해 Scopus 등재학술지에 논문 4 편 발표

-정승혜, 박아르미, 김수정
-김홍창, 전석엽, 이가영, 정재훈, 하영수, 박진우
-김수정, 장효원
-이가영, 정재훈, 전석엽, 김홍창


 


한림대학교(총장 김중수) 나노융합스쿨 학부생들이 올해 들어 캡스톤 디자인에서 수행한 연구 성과를 바탕으로 스코푸스(Scopus) 등재지에 잇달아 논문을 게재해 화제다. 나노융합스쿨(학장 장문규)은 올해 들어 학부생이 제1저자인 논문이 한국물리학회가 발행하는 Scopus 등재지인 New Physics: Sae Mulli (새물리)에 총 4편 게재되었다고 밝혔다 (게재허가 1편 포함).

한림대학교 나노융합스쿨은 그동안 캡스톤 디자인의 운영을 통해 산업 밀착형 주제에 대한 연구를 심화, 발전시키면서 학부생 및 대학원생들이 각종 대회에서 수상하거나 국내외 학술지에 논문을 게재하는 등 주목을 받아왔다. 이번 발표된 논문들은 반도체 내 신경망 회로를 제작할 수 있는 인공 뉴런이나 양자점 백라이트 등 새로운 디스플레이 기술에 관련된 결과를 포함하고 있어 나노융합스쿨의 주 전공인 반도체 및 디스플레이 전공 분야에서 학생들에 대한 체계적인 교육이 성과를 내고 있는 것으로 평가된다.

나노융합스쿨은 최근 공사가 마무리된 나노팹을 기반으로 보다 전문적인 현장적합형 실무 교육을 실시, 반도체 및 디스플레이 산업 분야에서 필요로 하는 전문 인력 양성에 박차를 가할 예정이다. 아래는 올해 발표된 논문들 리스트 및 주요 내용이다. (저자 중 학부생만 표기)


(1) 정승혜, 박아르미, 김수정 (지도교수: 고재현), “Study on the correlation between the efficiency of a multi-layer-type reflective polarizer and the reflecting property of a reflection film in backlights for liquid crystal displays(액정표시장치용 백라이트의 반사형 편광판의 효율과 반사 필름의 반사 성격 사이의 상관성에 관한 연구)” (새물리 69권, 101~106, 2019년1월): 디스플레이 내 광학 부품의 특성을 변경시켜 광학 필름의 효율을 향상시킨 구조를 제안한 연구 결과를 담고 있다. 
■ 링크: http://www.npsm-kps.org/journal/view.html?uid=6824&vmd=Full 
 

(2) 김홍창, 전석엽, 이가영, 정재훈, 하영수, 박진우 (지도교수: 장문규), “Comparison of the Electrical Characteristics of a Resistive Random Access Memory (RRAM) Device According to the Type of Metal Oxide(금속산화물의 종류에 따른 RRAM Device의 전기적 특성 비교)” (새물리 69권, 612~616, 2019년6월): 이 논문은 신경망 회로를 제작할 수 있는 인공뉴런을 구성하는 기본 소자로서  RRAM(Resistive Random Access Memory)를 제작하고 그 동작원리를 이론적으로 규명한 논문이다. 
■ 링크: http://www.npsm-kps.org/journal/view.html?uid=6949&vmd=Full 


(3) 김수정, 장효원 (지도교수:고재현), “Study on Improvements in the Emission Properties of Quantum-Dot Film-Based Backlights(양자점 필름 적용 백라이트의 발광특성 향상에 관한 연구)” (새물리 69권, 861~866, 2019년8월): 디스플레이의 색상 특성을 대폭 향상시킬 수 있는 양자점 기반 백라이트의 특성 개선에 관한 방향을 제시하는 논문이다. 
■ 링크: http://www.npsm-kps.org/journal/view.html?uid=7015&vmd=Full 


(4) 이가영, 정재훈, 전석엽, 김홍창 (지도교수: 장문규), “The Characteristics of RRAM device based on Tantalum and Titanium Oxide(TaOx와 TiOx를 이용한 RRAM 장치의 특성 비교)” (새물리, 게재허가): 이 논문은 신경망 회로를 제작할 수 있는 인공뉴런을 구성하는 기본소자인 RRAM을 Ta2O5와 TiO2 산화막을 각각 이용해서 제작하고 특성을 분석한 논문이다. 


 
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